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高電流負荷のためのPチャネル増強モード電源MOSFET JY4P7M

ブラシレス直流モータードライバーIC JY21L SOP-8 代わりに IR2101S プッシュチップを小型および中高性能モータードライバーにすることができます

JY13M ブレスレスDCモータードライバー MOSFET NとPチャネル40V表面マウント

JY09M Nチャネル増強MOS IC TO-220 70V 90A パワー MOSFET

JY213H SOP20 BLDCモータードライバー MOSFET / IGBTドライバー高速高電圧3相ゲートドライバー

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BLDC モータードライバーIC

(18)

高電流負荷のためのPチャネル増強モード電源MOSFET JY4P7M
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一般説明: JY4P7Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し,低ゲートチャージでオン抵抗を軽減します.この設計は,高電流で使用するための非常に効率的で信頼性の高い装置です負荷アプリケーション特徴: ● ‐40V/‐70A,RDS (オン) ≤10mΩ@VGS=−10V ● 高... 続きを読む

2024-09-19 10:58:38

ブラシレス直流モータードライバーIC JY21L SOP-8 代わりに IR2101S プッシュチップを小型および中高性能モータードライバーにすることができます
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一般説明この製品は,P-SUB P-EPI プロセスをベースにした高電圧,高速電力 MOSFET と IGBT ドライバです.浮動チャネルドライバは,最大150Vまで動作する独立して2つのNチャネル電源MOSFETまたはIGBTを運転するために使用できますロジック入力は標準CMOSまたはLSTTL出... 続きを読む

2024-09-19 10:58:08

JY13M ブレスレスDCモータードライバー MOSFET NとPチャネル40V表面マウント
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JY13MのNとPチャネル40VMOSFET 一般的な説明: JY13Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,優れたRDS ((ON) と低ゲート充電を提供することができます.補完的なMOSFETは,Hブリッジで使用できます.インバーターおよびその他の用途. 特徴: 装置 ... 続きを読む

2024-09-19 10:57:05

JY09M Nチャネル増強MOS IC TO-220 70V 90A パワー MOSFET
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一般的な説明: JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し低ゲート充電でオン抵抗を軽減しますこの設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 70V/90A,RDS (オン) ... 続きを読む

2024-09-19 10:56:37

JY213H SOP20 BLDCモータードライバー MOSFET / IGBTドライバー高速高電圧3相ゲートドライバー
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記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロセス... 続きを読む

2024-09-19 10:56:09

Nチャネル増強モードパワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用
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一般説明: JY11Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を使用し,高重複の雪崩評価でオン抵抗を軽減します.この設計は,電源スイッチアプリケーションや様々な他のアプリケーションで使用するための非常に効率的で信頼性の高いデバイスです. 特徴: ● 100V/110A,RDS (オン) =6... 続きを読む

2024-09-19 10:55:36

JY213L SSOP-20 ハーフブリッジドライブ 90V 3相ゲートドライバー 3つの独立した高低サイド
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記述: JY213Lは,電源MOSFETおよびIGBTデバイスのための高速3相ゲートドライバで,3つの独立した高側および低側参照出力チャネルを有する.ダウンタイム保護と射撃通過保護は,半橋の損傷を防ぐUVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ. A novel high... 続きを読む

2024-09-19 10:55:01

Nチャネル増強モードパワー MOSFET JY8N5M TO252 高電力 500V 4A フィールド効果チューブ
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一般説明: この製品は高度な平面処理技術を使用して,高い細胞密度を達成し,重複性のある高い雪崩評価でオン抵抗を軽減します.この設計は,非常に効率的で信頼性の高い電力切換アプリケーションや様々な他のアプリケーションで使用するための装置です. 特徴: ● 500V/8A,RDS (オン) =0.75Ω... 続きを読む

2024-09-19 10:54:06

NとPチャンネル 30V MOSFET JY12M 3相Hブリッジ回路 BLDC モスフェットドライバー
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一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電力の... 続きを読む

2024-09-19 10:53:34

JY16M Nチャネル増強モードパワースイッチングアプリケーションのためのパワーMOSFET
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一般説明: JY16Mは最新のトレンチ処理技術を活用して高い細胞密度を達成し繰り返しの高い雪崩評価でオン抵抗を減らす.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 600V/4A,RDS (... 続きを読む

2024-09-19 10:53:04

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