Nチャネル増強モードパワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用

商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	JEUNKEI
証明:	ISO9001,CE
モデル番号:	JY11M

お支払配送条件:

最小注文数量:	50pcs （利用できるサンプル）
価格:	USD0.5-USD1/PC
パッケージの詳細:	輸出のための続き
受渡し時間:	順序の量/Negotiableによって決まりなさい
支払条件:	T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:	1000pcs / 日

詳細製品概要

名前:	NチャネルMOSFET	モデルNO:	JY11M
タイプ:	Nチャネル	下水管源の電圧:	100V (Tc=25°C)
ゲート源の電圧:	±20V	連続的な下水管の流れ:	110A (Tc=25°C)
最大消費電力:	210W	作動の接続点および保管温度の範囲:	-55~+175°C
逆体回復:	そうだ
ハイライト:	増強モードパワー mosfet Nチャネル , 増強モードパワーモスフェット JY11M , ハード増強モードの電源を切り替えた mosfet

一般説明:

JY11Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を使用し,高重複の雪崩評価でオン抵抗を軽減します.
この設計は,電源スイッチアプリケーションや様々な他のアプリケーションで使用するための非常に効率的で信頼性の高いデバイスです.

特徴:

● 100V/110A,RDS (オン) =6.5mΩ@VGS=10V
● 快速に切り替わり,身体を逆に回復する
● 雪崩の電圧と流れが完全に特徴づけられた
● 熱の散乱を促進する優れたパッケージ

応用:

● アプリケーションを切り替える
● ハードスイッチと高周波回路
● インバーターシステムの電力管理

PIN 記述:

絶対最大濃度 (Tc=25°C,別記がない限り):

シンボル	パラメータ		制限	ユニット
VDS	排水源電圧		100	V
VGS	ゲートソース電圧		±20	V
私はD	連続流流	TC=25°C	110	A について
		TC=100°C	82
私はDM	パルスドレイン電流		395	A について
PD	最大電力消耗		210	W
TJTSTG	動作交差点と貯蔵温度範囲		-55~+175	°C
RΘJC	熱抵抗-ケースへの接点		0.65	°C/W
RθJA	熱抵抗-環境への接点		62

TO220-3 パッケージ概要:

シンボル	mm			インチ			シンボル	mm			インチ
シンボル	ミニ	ノム	マックス	ミニ	ノム	マックス	シンボル	ミニ	ノム	マックス	ミニ	ノム	マックス
A について	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L について	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C について	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	2.50REF			0.098REF
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q について	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E について	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.7	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.94	0.401